1. M29W400DB55N6E
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厂商型号

M29W400DB55N6E 

产品描述

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 4Mbit 512K/256K x 8bit/16bit 55ns 48-Pin TSOP Tray

内部编号

259-M29W400DB55N6E

生产厂商

micron

micron

#1

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新加坡
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M29W400DB55N6E产品详细规格

规格书 M29W400DB55N6E datasheet 规格书
M29W400DB/DT
M29W400DB55N6E datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 96
格式 - 记忆 FLASH
Memory 型 FLASH - Nor
内存大小 4M (512K x 8, 256K x 16)
速度 55ns
接口 Parallel (Byte-wide)
- 电源电压 2.7 V ~ 3.6 V
操作温度 -40°C ~ 85°C
包/盒 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
供应商器件封装 48-TSOP (12x20)
包装材料 Tray
包装 48TSOP
电池类型 NOR
密度 4 Mb
建筑 Sectored
块组织 Asymmetrical
位置引导块 Bottom
典型工作电源电压 3|3.3 V
扇区大小 8Kbyte x 2|16Kbyte x 1|32Kbyte x 1|64Kbyte x 7
定时类型 Asynchronous
工作温度 -40 to 85 °C
地址总线宽度 19/18 Bit
接口类型 Parallel
标准包装 Trays
安装 Surface Mount
包装宽度 18.4
包装长度 12
PCB 48
筛选等级 Industrial
地址总线宽度 19/18
密度 4M
典型工作电源电压 3|3.3
欧盟RoHS指令 Compliant
字数 512K/256K
最低工作温度 -40
供应商封装形式 TSOP
标准包装名称 TSOP
最高工作温度 85
编程电压 2.7 to 3.6
每字位数 8/16
引导块 Yes
最低工作电源电压 2.7
引脚数 48
最大工作电流 10
包装高度 1
最大随机存取时间 55
封装 Tray
最大工作电源电压 3.6
铅形状 Gull-wing
格式 - 存储器 FLASH
供应商设备封装 48-TSOP
内存类型 FLASH - NOR
存储容量 4M (512K x 8, 256K x 16)
电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V
封装/外壳 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
接口 Parallel
速度 55ns
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
访问时间(最大) 55 ns
地址总线 19/18 b
引导类型 Bottom
工作温度范围 -40C to 85C
包装类型 TSOP
编程/擦除电压(典型值) 2.7 to 3.6 V
字长 8/16 b
工作温度(最大) 85C
工作温度(最小值) -40C
同步/异步 Asynchronous
工作温度分类 Industrial
可编程 Yes
电源电流 10 mA
弧度硬化 No
工作电源电压(典型值) 3/3.3 V
工作电源电压(最小值) 2.7 V
工作电源电压(最大值) 3.6 V
删除 Compliant
associated S29AL008J70TFI020
S29AL008J70TFI010

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