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厂商型号

M28W160ECT70ZB6E 

产品描述

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 16Mbit 1M x 16bit 70ns 46-Pin TFBGA Tray

内部编号

259-M28W160ECT70ZB6E

生产厂商

micron

micron

#1

数量:1380
1+¥10.9285
10+¥9.9403
25+¥9.672
50+¥9.6223
100+¥8.6008
250+¥8.5752
500+¥8.4476
1000+¥8.0852
5000+¥7.5289
最小起订量:1
美国费城
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#2

数量:2208
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M28W160ECT70ZB6E产品详细规格

规格书 M28W160ECT70ZB6E datasheet 规格书
M28W160ECT/ECB
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 230
格式 - 记忆 FLASH
Memory 型 FLASH - Nor
内存大小 16M (1M x 16)
速度 70ns
接口 Parallel (Byte-wide)
- 电源电压 2.7 V ~ 3.6 V
操作温度 -40°C ~ 85°C
包/盒 46-TFBGA
供应商器件封装 46-TFBGA (6.39x6.37)
包装材料 Tray
包装 46TFBGA
电池类型 NOR
密度 16 Mb
建筑 Sectored
块组织 Asymmetrical
位置引导块 Top
典型工作电源电压 3|3.3 V
扇区大小 8Kbyte x 8|64Kbyte x 31
定时类型 Asynchronous
工作温度 -40 to 85 °C
地址总线宽度 20 Bit
接口类型 Parallel
标准包装 Trays
安装 Surface Mount
包装宽度 6.37
包装长度 6.39
PCB 46
筛选等级 Industrial
地址总线宽度 20
密度 16M
典型工作电源电压 3|3.3
欧盟RoHS指令 Compliant
字数 1M
最低工作温度 -40
供应商封装形式 TFBGA
标准包装名称 BGA
最高工作温度 85
编程电压 2.7 to 3.6|11.4 to 12.6
每字位数 16
引导块 Yes
最低工作电源电压 2.7
引脚数 46
最大工作电流 18
包装高度 1(Max)
最大随机存取时间 70
封装 Tray
最大工作电源电压 3.6
铅形状 Ball
格式 - 存储器 FLASH
供应商设备封装 46-TFBGA (6.39x6.37)
内存类型 FLASH - NOR
存储容量 16M (1M x 16)
电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V
接口 Parallel
速度 70ns
封装/外壳 46-TFBGA
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
访问时间(最大) 70 ns
地址总线 20 b
引导类型 Top
工作温度范围 -40C to 85C
包装类型 TFBGA
字长 16 b
工作温度(最大) 85C
工作温度(最小值) -40C
同步/异步 Asynchronous
工作温度分类 Industrial
可编程 Yes
电源电流 18 mA
弧度硬化 No
工作电源电压(典型值) 3/3.3 V
工作电源电压(最小值) 2.7 V
工作电源电压(最大值) 3.6 V
删除 Compliant

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