图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:56 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#2 |
数量:50 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:620 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
 Power Products Catalog VRF2933(MP) |
| 标准包装 | 30 |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 频率 | 30MHz |
| 增益 | 22dB |
| 电压 - Test | 50V |
| 当前 Rating | 40A |
| 噪声系数 | - |
| 当前 - Test | 250mA |
| Power - 输出功率 | 300W |
| 电压 - 额定 | 170V |
| 包/盒 | M177 |
| 供应商器件封装 | M177 |
| 包装材料 | Tube |
| 动态目录 | RF MOSFETs###/catalog/en/partgroup/rf-mosfets/17267?mpart=VRF2933&vendor=691&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 供应商封装形式 | Style M-177 |
| 最大频率 | 150 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 200 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 输出功率 | 300 |
| 最低工作温度 | -65 |
| Typical Drain Efficiency | 50 |
| 渠道类型 | N |
| 典型功率增益 | 25 |
| 最大漏源电压 | 170 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 典型输入电容@ VDS | 740@50V |
| 最大功率耗散 | 648000 |
| 最大连续漏极电流 | 40 |
| 引脚数 | 5 |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 电压 - 额定 | 170V |
| 标准包装 | 30 |
| 供应商设备封装 | M177 |
| 电压 - 测试 | 50V |
| 封装 | Tube |
| 频率 | 30MHz |
| 增益 | 22dB |
| 封装/外壳 | M177 |
| 电流 - 测试 | 250mA |
| 额定电流 | 40A |
| 功率 - 输出 | 300W |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装 | Screw |
| 工作温度范围 | -65C to 200C |
| 元件数 | 1 |
| 筛选等级 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率（最大） | 150 MHz |
| 输出电容（典型值） @ VDS | 400@50V pF |
| 功率增益（典型值） @ VDS | 25 dB |
| 漏极效率（典型值） | 50 % |
| 连续漏极电流 | 40 A |
| 漏源电压（最大值） | 170 V |
| 功率耗散（最大） | 648000 mW |
| 电流 - 测试 | 250mA |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 电压 - 测试 | 50V |
| 增益 | 22dB |
| 额定电流 | 40A |
| 封装/外壳 | M177 |
| 频率 | 30MHz |
| 电压 - 额定 | 170V |
| 功率 - 输出 | 300W |
| 工厂包装数量 | 4 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 180 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 150 C |
| 类型 | RF Power MOSFET |
| 品牌 | Microsemi |
| Id - Continuous Drain Current | 42 A |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 40 V |
| 输出功率 | 300 W |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| Pd - Power Dissipation | 648 W |
| 工作频率 | 30 MHz |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 技术 | Si |
| 正向跨导 - 闵 | 8 mS |
| RoHS | RoHS Compliant |
VRF2933也可以通过以下分类找到
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