图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:15 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 Power Products Catalog APTM100H18FG |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1 |
| FET 型 | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 1000V (1kV) |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 43A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 210 mOhm @ 21.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 5mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 372nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 10400pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 780W |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 包/盒 | SP6 |
| 供应商器件封装 | SP6 |
| 包装材料 | Bulk |
| 包装 | 12SP6 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 1000 V |
| 最大连续漏极电流 | 43 A |
| RDS -于 | 210@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 18 ns |
| 典型上升时间 | 12 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 155 ns |
| 典型下降时间 | 40 ns |
| 工作温度 | -40 to 150 °C |
| 安装 | Screw |
| 标准包装 | Bulk |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Bulk |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 43A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 5mA |
| 供应商设备封装 | SP6 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 210 mOhm @ 21.5A, 10V |
| FET型 | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| 功率 - 最大 | 780W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 1000V (1kV) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 10400pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 372nC @ 10V |
| 封装/外壳 | SP6 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 品牌 | Microsemi |
| RoHS | RoHS Compliant |
APTM100H18FG也可以通过以下分类找到
APTM100H18FG相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
