图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 APTGF50H60T3G Power Products Catalog |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1 |
| IGBT 型 | NPT |
| 配置 | Full Bridge Inverter |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 50A |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 65A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 250µA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2.2nF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 250W |
| 输入 | Standard |
| NTC Thermistor | Yes |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 包/盒 | SP3 |
| 供应商器件封装 | SP3 |
| 包装 | 32Case SP3 |
| 配置 | Quad |
| 引脚数 | 32 |
| 最大集电极发射极电压 | 600 V |
| 最大连续集电极电流 | 65 A |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 V |
| 安装 | Screw |
| 标准包装 | Bulk |
| 供应商封装形式 | Case SP3 |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 |
| 最大连续集电极电流 | 65 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装高度 | 11.5 |
| 最大功率耗散 | 250000 |
| 渠道类型 | N |
| 最大集电极发射极电压 | 600 |
| 包装宽度 | 40.8 |
| PCB | 32 |
| 包装长度 | 73.4 |
| 最低工作温度 | -40 |
| 输入电容（Cies ） @ Vce时 | 2.2nF @ 25V |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 65A |
| IGBT类型 | NPT |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 250µA |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 2.45V @ 15V, 50A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
| 供应商设备封装 | SP3 |
| 功率 - 最大 | 250W |
| 封装/外壳 | SP3 |
| 输入 | Standard |
| NTC热敏电阻 | Yes |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 栅极 - 射极漏泄电流 | 400 nA |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 2.1 V |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 工作温度范围 | - 40 C to + 150 C |
| 品牌 | Microsemi |
| Pd - Power Dissipation | 250 W |
| 连续集电极电流在25 C | 65 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 身高 | 11.5 mm |
| 安装风格 | Screw |
| 长度 | 73.4 mm |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
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