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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

APT75M50B2 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 500V 75A 3-Pin(3+Tab) T-MAX

内部编号

253-APT75M50B2

生产厂商

microsemi

microsemi

#1

数量:15
1+¥107.0784
10+¥97.3688
25+¥90.0525
50+¥85.1977
100+¥82.1892
250+¥75.0096
500+¥70.2232
1000+¥62.6333
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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#2

数量:11
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

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原厂背书质量,全面技术支持

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APT75M50B2产品详细规格

规格书 APT75M50B2 datasheet 规格书
APT75M50B2 datasheet 规格书
Power Products Catalog
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 30
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 500V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 75A
Rds(最大)@ ID,VGS 75 mOhm @ 37A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5V @ 2.5mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 290nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 11600pF @ 25V
功率 - 最大 1040W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-247-3 Variant
供应商器件封装 T-MAX™
包装材料 Tube
包装 3T-MAX
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 500 V
最大连续漏极电流 75 A
RDS -于 75@10V mOhm
最大门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 45 ns
典型上升时间 55 ns
典型关闭延迟时间 120 ns
典型下降时间 39 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
最大门源电压 ±30
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 T-MAX
最低工作温度 -55
渠道类型 N
最大漏源电阻 75@10V
最大漏源电压 500
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 T-MAX
最大功率耗散 1040000
最大连续漏极电流 75
引脚数 3
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 75A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 2.5mA
封装/外壳 TO-247-3 Variant
供应商设备封装 T-MAX™
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 75 mOhm @ 37A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1040W
漏极至源极电压(Vdss) 500V
输入电容(Ciss ) @ VDS 11600pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 290nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 500 V
晶体管极性 N-Channel
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Qg - Gate Charge 290 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
类型 Power MOSFET
下降时间 39 ns
产品 MOSFET
品牌 Microsemi
通道数 1 Channel
配置 1 N-Channel
最高工作温度 + 150 C
正向跨导 - 闵 55 S
Id - Continuous Drain Current 75 A
长度 20.8 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 75 mOhms
RoHS RoHS Compliant
身高 4.69 mm
安装风格 Through Hole
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 1.04 kW
上升时间 55 ns
技术 Si

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