图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 Power Products Catalog |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 30 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 500V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 37A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 150 mOhm @ 18A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 145nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 5710pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 520W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247 [B] |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-247 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 最大连续漏极电流 | 37 A |
| RDS -于 | 150@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 25 ns |
| 典型上升时间 | 29 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 典型下降时间 | 21 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-247 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 150@10V |
| 最大漏源电压 | 500 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-247 |
| 最大功率耗散 | 520000 |
| 最大连续漏极电流 | 37 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 37A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 1mA |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商设备封装 | TO-247 [B] |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 150 mOhm @ 18A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 520W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 5710pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 145nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| 宽度 | 16.26 mm |
| Qg - Gate Charge | 145 nC |
| 下降时间 | 21 ns |
| 品牌 | Microsemi |
| 商品名 | POWER MOS 8 |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 27 S |
| Id - Continuous Drain Current | 37 A |
| 长度 | 21.46 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 130 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 身高 | 5.31 mm |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 520 W |
| 上升时间 | 29 ns |
| 技术 | Si |
APT37F50B也可以通过以下分类找到
APT37F50B相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家