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厂商型号

APT31N80JC3 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 800V 31A 4-Pin SOT-227

内部编号

253-APT31N80JC3

生产厂商

microsemi

microsemi

#1

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APT31N80JC3产品详细规格

规格书 APT31N80JC3 datasheet 规格书
APT31N80JC3 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 10
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 800V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 31A
Rds(最大)@ ID,VGS 145 mOhm @ 22A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3.9V @ 2mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 355nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 4510pF @ 25V
功率 - 最大 833W
安装类型 Chassis Mount
包/盒 SOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装 ISOTOP®
包装材料 Tube
包装 4SOT-227
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 800 V
最大连续漏极电流 31 A
RDS -于 145@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 25 ns
典型上升时间 15 ns
典型关闭延迟时间 70 ns
典型下降时间 6 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Screw
标准包装 Rail / Tube
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Chassis Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 31A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3.9V @ 2mA
漏极至源极电压(Vdss) 800V
供应商设备封装 ISOTOP®
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 145 mOhm @ 22A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 833W
输入电容(Ciss ) @ VDS 4510pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 355nC @ 10V
封装/外壳 SOT-227-4, miniBLOC
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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