图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 1014-6A |
| 集电极最大直流电流 | 1 |
| 最小直流电流增益 | 20@100mA@5V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 200 |
| 输出功率 | 6(Min) |
| 包装高度 | 3.43 |
| 安装 | Screw |
| 最大功率耗散 | 19000 |
| 最大基地发射极电压 | 3.5 |
| Maximum Transition Frequency | 1400 |
| PCB | 3 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 包装宽度 | 6.35 |
| 供应商封装形式 | Case 55LV-1 |
| 包装长度 | 20.83 |
| 最大集电极发射极电压 | 50 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 系列 | * |
| 标准包装 | 1 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 集电极电流（DC ） | 1 A |
| 集电极 - 发射极电压 | 50 V |
| 发射极 - 基极电压 | 3.5 V |
| 频率 | 1400 MHz |
| 功率耗散 | 19 W |
| 工作温度范围 | -65C to 200C |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 晶体管极性 | NPN |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | * |
| 频率 - 转换 | 1GHz ~ 1.4GHz |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | * |
| 封装 | * |
| 功率 - 最大 | 19W |
| 增益 | 7dB ~ 7.5dB |
| 封装/外壳 | * |
| 品牌 | Microsemi |
| 技术 | Si |
| RoHS | No |
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