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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

PDTC114EK,115 

产品描述

Transistors Switching - Resistor Biased TRANS RET TAPE-7

内部编号

229-PDTC114EK-115

生产厂商

NXP Semiconductors

NXP

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

PDTC114EK,115产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 15,000
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻 - 基地(R1)(欧姆) 10k
电阻器 - 发射基地(R2)(欧姆) 10k
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 30 @ 5mA, 5V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 150mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) 1µA
频率转换 -
功率 - 最大 250mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SMT3
包装材料 Tape & Reel (TR)
最低工作温度 -65
安装 Surface Mount
最大集电极发射极饱和电压 0.15@0.5mA@10mA
包装宽度 1.7(Max)
PCB 3
最大功率耗散 250
类型 NPN
欧盟RoHS指令 Compliant
Maximum Continuous DC Collector Current 100
最大集电极发射极电压 50
配置 Single
供应商封装形式 MPAK
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
包装长度 3.1(Max)
引脚数 3
最小直流电流增益 30@5mA@5V
包装高度 1.2(Max)
典型输入电阻 10
封装 Tape and Reel
典型电阻器比率 1
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
电阻器 - 基( R1 ) (欧姆) 10k
电流 - 集电极截止(最大) 1µA
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 150mV @ 500µA, 10mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 SMT3
电阻器 - 发射极基( R 2 ) (欧姆) 10k
功率 - 最大 250mW
标准包装 15,000
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型 Surface Mount
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 30 @ 5mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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