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数量:10001 |
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Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
晶体管类型 | PNP - Pre-Biased |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻 - 基地(R1)(欧姆) | 22k |
电阻器 - 发射基地(R2)(欧姆) | 22k |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 60 @ 5mA, 5V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 150mV @ 500µA, 10mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 1µA |
频率转换 | - |
功率 - 最大 | 150mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | SC-75, SOT-416 |
供应商器件封装 | SC-75 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
产品种类 | Transistors Switching - Resistor Biased |
RoHS | RoHS Compliant |
配置 | Single |
晶体管极性 | PNP |
典型输入电阻 | 22 KOhms |
典型电阻器比率 | 1 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/外壳 | SOT-416-3 |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
最高工作温度 | + 150 C |
封装 | Reel |
最低工作温度 | - 65 C |
工厂包装数量 | 3000 |
零件号别名 | PDTA124EE T/R |
最低工作温度 | -65 |
安装 | Surface Mount |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.15@0.5mA@10mA |
包装宽度 | 0.9(Max) |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 150 |
类型 | PNP |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
Maximum Continuous DC Collector Current | 100 |
最大集电极发射极电压 | 50 |
供应商封装形式 | SC-75 |
标准包装名称 | SC-75 |
最高工作温度 | 150 |
包装长度 | 1.8(Max) |
引脚数 | 3 |
最小直流电流增益 | 60@5mA@5V |
包装高度 | 0.85(Max) |
典型输入电阻 | 22 |
铅形状 | Gull-wing |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 100mA |
晶体管类型 | PNP - Pre-Biased |
电阻器 - 基( R1 ) (欧姆) | 22k |
电流 - 集电极截止(最大) | 1µA |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 150mV @ 500µA, 10mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
供应商设备封装 | SC-75 |
电阻器 - 发射极基( R 2 ) (欧姆) | 22k |
功率 - 最大 | 150mW |
标准包装 | 3,000 |
安装类型 | Surface Mount |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 60 @ 5mA, 5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
集电极 - 发射极电压 | 50 V |
包装类型 | SOT-416 |
直流电流增益(最小值) | 60 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
直流电流增益 | 60 |
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
晶体管类型 | PNP - Pre-Biased |
电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 22k |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA |
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 60 @ 5mA, 5V |
封装/外壳 | SC-75, SOT-416 |
功率 - 最大值 | 150mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 22k |
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