图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | N and P-Channel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 350mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 0.68nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 50pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 445mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 6TSSOP |
| 渠道类型 | N|P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.35@N Channel|0.2@P Channel A |
| RDS -于 | 1400@4.5V@N Channel|4100@4.5V@P Channel mOhm |
| 最大门源电压 | 8 V |
| 典型导通延迟时间 | 15@N Channel|19@P Channel ns |
| 典型上升时间 | 11@N Channel|30@P Channel ns |
| 典型关闭延迟时间 | 69@N Channel|65@P Channel ns |
| 典型下降时间 | 19@N Channel|38@P Channel ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | 8 |
| 包装宽度 | 1.35(Max) |
| PCB | 6 |
| 最大功率耗散 | 445 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 1400@4.5V@N Channel|4100@4.5V@P C... |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TSSOP |
| 标准包装名称 | TSSOP |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 2.2(Max) |
| 引脚数 | 6 |
| 包装高度 | 1(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 0.35@N Channel|0.2@P Channel |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 350mA |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.1V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 6-TSSOP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V |
| FET型 | N and P-Channel |
| 功率 - 最大 | 445mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 50pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 0.68nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | 568-10495-1 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 配置 | Dual |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 连续漏极电流 | - 200 mA, 350 mA |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 1 Ohms, 2.8 Ohms |
| 功率耗散 | 990 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SC-88 |
| 栅极电荷Qg | 0.52 nC |
| 上升时间 | 30 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 30 V, 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 38 ns |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 350mA |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 50pF @ 15V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 0.68nC @ 4.5V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | N and P-Channel |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 功率 - 最大值 | 445mW |
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