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数量:0 |
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| 规格书 |
 J174-77 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电流 - 漏（IDSS），VDS（VGS = 0） | 2mA @ 15V |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 漏电流（ID） - 最大 | - |
| FET 型 | P-Channel |
| - 击穿电压（V（BR）的GSS） | 30V |
| - 截止电压（VGS的关闭）@ ID | 1V @ 10nA |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 8pF @ 10V (VGS) |
| 电阻 - RDS（ON） | 250 Ohm |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包装材料 | Tape & Box (TB) |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 功率 - 最大 | 400mW |
| 封装 | Tape & Box (TB) |
| 电压 - 击穿（ V（BR ） GSS ） | 30V |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 漏极（Idss ） @ VDS （ VGS = 0 ） | 2mA @ 15V |
| 电阻 - RDS（ON） | 250 Ohm |
| 供应商设备封装 | TO-92 |
| 电压 - 切断（VGS关）@ Id | 1V @ 10nA |
| FET型 | P-Channel |
| 功率 - 最大 | 400mW |
| 标准包装 | 2,000 |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 8pF @ 10V (VGS) |
| 连续漏极电流 | 0.035 A |
| 栅源电压（最大值） | 30 V |
| 安装 | Through Hole |
| 包装类型 | SPT |
| 引脚数 | 3 |
| 工作温度（最大） | 150C |
| 工作温度（最小值） | -65C |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏栅极电压（最大值） | 30 V |
| 漏源电压（最大值） | 30 V |
| 渠道类型 | P |
| 配置 | Single |
| 弧度硬化 | No |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 宽度 | 4.2 mm |
| 类型 | JFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品 | RF JFET |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| 最大漏极栅极电压 | 30 V |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | JFET |
| Id - Continuous Drain Current | 35 mA |
| 长度 | 4.8 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 250 Ohms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 技术 | Si |
| 身高 | 5.2 mm |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| Pd - Power Dissipation | 300 mW |
| 栅源截止电压 | 1 V to 4 V |
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