图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 BUK(9511, 9611)-55A |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 55V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 75A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 10 mOhm @ 25A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 4230pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 166W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220AB |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 55 V |
| 最大连续漏极电流 | 75 A |
| RDS -于 | 10@10V mOhm |
| 最大门源电压 | 10 V |
| 典型导通延迟时间 | 29 ns |
| 典型上升时间 | 155 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 191 ns |
| 典型下降时间 | 139 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 75A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 55V |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 10 mOhm @ 25A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 166W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4230pF @ 25V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 10 V |
| 连续漏极电流 | 75 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 10 mOhms |
| 功率耗散 | 166 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 零件号别名 | BUK9511-55A |
| 上升时间 | 155 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 55 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 139 ns |
| 栅源电压（最大值） | 10 V |
| 漏源导通电阻 | 0.01 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | TO-220AB |
| 引脚数 | 3 +Tab |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 55 V |
| 弧度硬化 | No |
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