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厂商型号

BUK7635-55A,118 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 55V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

内部编号

229-BUK7635-55A-118

生产厂商

nxp semiconductors

nxp

#1

数量:250
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:8607
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BUK7635-55A,118产品详细规格

规格书 BUK7635-55A,118 datasheet 规格书
BUK7635-55A,118 datasheet 规格书
BUK7535-55A,BUK7635-55A
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 800
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 55V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 35A
Rds(最大)@ ID,VGS 35 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS -
输入电容(Ciss)@ Vds的 872pF @ 25V
功率 - 最大 85W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3D2PAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 55 V
最大连续漏极电流 35 A
RDS -于 35@10V mOhm
最大门源电压 20 V
典型导通延迟时间 10 ns
典型上升时间 62 ns
典型关闭延迟时间 24 ns
典型下降时间 20 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
FET特点 Standard
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 35A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 1mA
漏极至源极电压(Vdss) 55V
供应商设备封装 D2PAK
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 35 mOhm @ 20A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 85W
输入电容(Ciss ) @ VDS 872pF @ 25V
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 568-9655-1
工厂包装数量 800
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 35 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 35 mOhms
功率耗散 85 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 SOT-404
零件号别名 /T3 BUK7635-55A
上升时间 62 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 55 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 20 ns
栅源电压(最大值) 20 V
漏源导通电阻 0.035 ohm
工作温度范围 -55C to 175C
包装类型 D2PAK
引脚数 2 +Tab
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 55 V
弧度硬化 No

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