BLF8G10LS-160,118

产品描述

BLF8G10LS-160/LDMOST/REEL13//

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美国加州
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规格书	BLF8G10L(S)-160
文档	RF Power Transistors Transfer 21/Dec/2013
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	100
晶体管类型	LDMOS
频率	920MHz ~ 960MHz
增益	19.7dB
电压 - 测试	30V
额定电流	-
噪声系数	-
电流 - 测试	1.1A
Power - 输出功率	35W
电压 - 额定	65V
包/盒	SOT-502B
供应商器件封装	LDMOST
包装材料	Tape & Reel (TR)
安装	Surface Mount
包装宽度	9.91(Max)
PCB	3
最大漏源电压	65
最大频率	960
欧盟RoHS指令	Compliant
Typical Drain Efficiency	29
最大漏源电阻	86(Typ)@6.05V
每个芯片的元件数	1
最低工作温度	-65
典型功率增益	19.7
供应商封装形式	SOT-502B
标准包装名称	SOT-502B
最高工作温度	200
输出功率	35(Typ)
渠道类型	N
包装长度	20.7(Max)
引脚数	3
通道模式	Enhancement
包装高度	4.72(Max)
封装	Tape and Reel
铅形状	Flat
晶体管类型	LDMOS
电压 - 额定	65V
标准包装	100
供应商设备封装	SOT502B
电压 - 测试	30V
频率	920MHz ~ 960MHz
增益	19.7dB
封装/外壳	SOT-502B
电流 - 测试	1.1A
功率 - 输出	35W
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
其他名称	568-8671-1
工厂包装数量	100
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	13 V
连续漏极电流	37 A
安装风格	SMD/SMT
输出功率	35 W
配置	Single
最高工作温度	+ 150 C
漏源击穿电压	65 V
RoHS	RoHS Compliant

型号	厂家	产品描述
BLF8G10LS-160,112	nxp semiconductors	BLF8G10LS-160/LDMOST/TUBE-BULK
BLF8G10LS-160V,112	NXP Semiconductors	Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin CDFM T/R
BLF8G10LS-160V,118	NXP Semiconductors	Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin CDFM T/R
BLF8G10L-160,112	nxp semiconductors	BLF8G10L-160/LDMOST/TUBE-BULK/
BLF8G10L-160,118	nxp semiconductors	BLF8G10L-160/LDMOST/REEL13//
BLF8G10L-160V,112	NXP Semiconductors	BLF8G10L-160V/ACC-6L/TUBE-BULK
BLF8G10L-160V,118	NXP Semiconductors	BLF8G10L-160V/ACC-6L/REEL13//
BLF8G22L-160BV,112	nxp semiconductors	BLF8G22L-160BV/ACC-6L/TUBE-BUL
BLF8G22L-160BV,118	nxp semiconductors	BLF8G22L-160BV/ACC-6L/REEL13//
BLF8G22LS-160BV,11	nxp semiconductors	BLF8G22LS-160BV/ACC-6L/TUBE-BU
BLF8G22LS-160BV:11	nxp semiconductors	BLF8G22LS-160BV/ACC-6L/REEL13/
BLF8G27LS-100GVJ	NXP Semiconductors	100
BLF8G27LS-100GVQ	NXP Semiconductors	1
BLF8G27LS-140,112	NXP Semiconductors	1
BLF8G27LS-140,118	NXP Semiconductors	100

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