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厂商型号

BLF7G22L-130,112 

产品描述

BLF7G22L-130/SOT502/TUBE-BULK/

内部编号

229-BLF7G22L-130-112

生产厂商

nxp semiconductors

NXP

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税

BLF7G22L-130,112产品详细规格

规格书 BLF7G22L-130,112 datasheet 规格书
BLF7G22LS-130
文档 RF Power Transistors Transfer 21/Dec/2013
标准包装 20
晶体管类型 LDMOS
频率 2GHz ~ 2.2GHz
增益 18.5dB
电压 - Test 28V
当前 Rating 28A
噪声系数 -
当前 - Test 950mA
Power - 输出功率 30W
电压 - 额定 65V
包/盒 SOT-502A
供应商器件封装 LDMOST
包装材料 Tray
动态目录 RF HEMT, HFET, LDMOS FETs###/catalog/en/partgroup/rf-hemt-hfet-ldmos-fets/17295?mpart=BLF7G22L-130,112&vendor=568&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称;
晶体管类型 LDMOS
电压 - 额定 65V
标准包装 20
供应商设备封装 LDMOST
电压 - 测试 28V
封装 Tray
频率 2GHz ~ 2.2GHz
增益 18.5dB
封装/外壳 SOT-502A
电流 - 测试 950mA
额定电流 28A
功率 - 输出 30W
工厂包装数量 20
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 13 V
连续漏极电流 28 A
安装风格 SMD/SMT
输出功率 33 W
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 65 V
RoHS RoHS Compliant

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