规格书 |
BLF7G22LS-130 |
文档 |
RF Power Transistors Transfer 21/Dec/2013 |
标准包装 | 20 |
晶体管类型 | LDMOS |
频率 | 2GHz ~ 2.2GHz |
增益 | 18.5dB |
电压 - Test | 28V |
当前 Rating | 28A |
噪声系数 | - |
当前 - Test | 950mA |
Power - 输出功率 | 30W |
电压 - 额定 | 65V |
包/盒 | SOT-502A |
供应商器件封装 | LDMOST |
包装材料 | Tray |
动态目录 | RF HEMT, HFET, LDMOS FETs###/catalog/en/partgroup/rf-hemt-hfet-ldmos-fets/17295?mpart=BLF7G22L-130,112&vendor=568&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
晶体管类型 | LDMOS |
电压 - 额定 | 65V |
标准包装 | 20 |
供应商设备封装 | LDMOST |
电压 - 测试 | 28V |
封装 | Tray |
频率 | 2GHz ~ 2.2GHz |
增益 | 18.5dB |
封装/外壳 | SOT-502A |
电流 - 测试 | 950mA |
额定电流 | 28A |
功率 - 输出 | 30W |
工厂包装数量 | 20 |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | 13 V |
连续漏极电流 | 28 A |
安装风格 | SMD/SMT |
输出功率 | 33 W |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 65 V |
RoHS | RoHS Compliant |
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