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厂商型号

BLF8G27LS-100GVJ 

产品描述

100

内部编号

229-BLF8G27LS-100GVJ

生产厂商

NXP Semiconductors

nxp

#1

数量:0
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美国加州
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BLF8G27LS-100GVJ产品详细规格

规格书 BLF8G27LS-100GVJ datasheet 规格书
系列 *
标准包装 100
安装风格 SMD/SMT
配置 Single
源极击穿电压 13 V
正向跨导 - 闵 1.27 S
RDS(ON) 0.1 Ohms
漏源击穿电压 65 V
封装 Bulk
频率 2500 MHz to 2700 MHz
增益 17 dB
封装/外壳 SOT-1244C
产品类型 RF Power Transistor
类型 Power LDMOS Transistor
最高工作温度 + 225 C
RoHS RoHS Compliant
其他名称 934067916118
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

BLF8G27LS-100GVJ系列产品

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