图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IXGR35N120B 

产品描述

IGBT Transistors 70 Amps 1200V 3.3 Rds

内部编号

184-IXGR35N120B

生产厂商

IXYS

IXYS

订购说明

质量保障

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IXGR35N120B产品详细规格

规格书 IXGR35N120B datasheet 规格书
IXGR35N120(B,C)
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 30
IGBT 型 PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.3V @ 15V, 35A
- 集电极电流(Ic)(最大) 70A
功率 - 最大 200W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 ISOPLUS247™
供应商器件封装 ISOPLUS247™
包装材料 Tube
供应商封装形式 ISOPLUS247
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 70
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装宽度 5.21(Max)
标准包装名称 ISOPLUS247
包装高度 21.34(Max)
安装 Through Hole
最大功率耗散 200000
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 1200
标签 Tab
PCB 3
包装长度 16.13(Max)
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Through Hole
栅极电荷 170nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 70A
安装类型 Through Hole
开关能量 3.8mJ (off)
标准包装 30
时间Td(开/关) @ 25°C 50ns/180ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 3.3V @ 15V, 35A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
供应商设备封装 ISOPLUS247™
封装 Tube
功率 - 最大 200W
输入类型 Standard
封装/外壳 ISOPLUS247™
IGBT类型 PT
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 140A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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