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厂商型号

GWM100-01X1-SL 

产品描述

MOSFET 100 Amps 100V

内部编号

184-GWM100-01X1-SL

生产厂商

Ixys

ixys

#1

数量:0
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GWM100-01X1-SL产品详细规格

规格书 GWM100-01X1-SL datasheet 规格书
GWM100-01X1
标准包装 28
FET 型 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 90A
Rds(最大)@ ID,VGS 8.5 mOhm @ 80A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 90nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 -
功率 - 最大 -
安装类型 Surface Mount
包/盒 17-SMD, Flat Leads
供应商器件封装 SMD
包装材料 Tube
RoHS RoHS Compliant
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流 90 A
抗漏源极RDS ( ON) 8.5 mOhms
配置 Hex
最高工作温度 + 175 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SMD
封装 Box
最低工作温度 - 55 C
工厂包装数量 36
典型关闭延迟时间 290 ns
寿命 Obsolete
供应商封装形式 SMD
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
通道模式 Enhancement
标准包装名称 SMD
包装高度 5
安装 Surface Mount
渠道类型 N
最大漏源电阻 8.5@10V
最大漏源电压 100
每个芯片的元件数 6
包装宽度 25
PCB 14
包装长度 37.5
最低工作温度 -55
最大连续漏极电流 90
引脚数 14
铅形状 No Lead
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 90A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4.5V @ 250µA
供应商设备封装 SMD
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 8.5 mOhm @ 80A, 10V
FET型 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
标准包装 28
漏极至源极电压(Vdss) 100V
闸电荷(Qg ) @ VGS 90nC @ 10V
封装/外壳 17-SMD, Flat Leads
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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