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| 规格书 |
 IXT(A,P,H)6N50D2 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 30 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Depletion Mode |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 500V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 6A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 500 mOhm @ 3A, 0V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | - |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 96nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2800pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 包装材料 | Tube |
| FET特点 | Depletion Mode |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6A (Tc) |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商设备封装 | TO-247 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 500 mOhm @ 3A, 0V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 标准包装 | 30 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2800pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 96nC @ 5V |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 6 A |
| 下降时间 | 43 ns |
| 单位重量 | 0.229281 oz |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 2.8 S |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 82 ns |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | IXTH6N50 |
| RDS（ON） | 550 mOhms |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 300 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 72 ns |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| 栅极电荷Qg | 96 nC |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 4.5 V |
| Qg - Gate Charge | 96 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | IXYS |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 550 mOhms |
| 通道模式 | Depletion |
| 典型导通延迟时间 | 28 ns |
| Pd - Power Dissipation | 300 W |
| 技术 | Si |
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