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厂商型号

IXTH10P50 

产品描述

MOSFET -10 Amps -500V 0.9 Rds

内部编号

184-IXTH10P50

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:10
1+¥84.8905
30+¥80.8794
最小起订量:1
美国纽约
当天发货,1-3个工作日送达.
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#2

数量:10
1+¥92.3925
30+¥88.0269
最小起订量:1
阿姆斯特丹
当天发货,5-8个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IXTH10P50产品详细规格

Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装 30
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 500V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 10A
Rds(最大)@ ID,VGS 900 mOhm @ 500mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 160nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 4700pF @ 25V
功率 - 最大 300W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247
包装材料 Tube
最大门源电压 ±20
安装 Through Hole
包装宽度 5.3(Max)
PCB 3
最大功率耗散 300000
最大漏源电压 500
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 900@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-247AD
标准包装名称 TO-247-AD
最高工作温度 150
渠道类型 P
包装长度 16.26(Max)
引脚数 3
通道模式 Enhancement
包装高度 21.46(Max)
最大连续漏极电流 10
标签 Tab
铅形状 Through Hole
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 10A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 250µA
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 900 mOhm @ 5A, 10V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 300W
标准包装 30
漏极至源极电压(Vdss) 500V
输入电容(Ciss ) @ VDS 4700pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 160nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
漏极电流(最大值) 10 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) �20 V
输出功率(最大) Not Required W
功率耗散 300 W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.9 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-247AD
极性 P
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 500 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
连续漏极电流 10 A

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