IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 |
| 安装 | Through Hole |
| Package Width | 5.3(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 300000 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 900@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-247AD |
| 标准包装名称 | TO-247-AD |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | P |
| Package Length | 16.26(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 21.46(Max) |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 10A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商设备封装 | TO-247 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 900 mOhm @ 5A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 标准包装 | 30 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4700pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 160nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 漏极电流（最大值） | 10 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 功率耗散 | 300 W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.9 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-247AD |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 500 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 连续漏极电流 | 10 A |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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