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规格书 |
IXT(Y,A,P)1R6N50D2 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Depletion Mode |
漏极至源极电压(VDSS) | 500V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 1.6A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 2.3 Ohm @ 800mA, 0V |
VGS(TH)(最大)@ Id | - |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 23.7nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 645pF @ 25V |
功率 - 最大 | 100W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
供应商器件封装 | TO-263AA |
包装材料 | Tube |
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