1. IXGR35N120BD1
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厂商型号

IXGR35N120BD1 

产品描述

IGBT Transistors 23 Amps 1200V 3.7 Rds

内部编号

184-IXGR35N120BD1

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:14
1+¥72.7531
10+¥61.3342
100+¥51.7614
500+¥48.0007
1000+¥41.7783
最小起订量:1
美国加州
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IXGR35N120BD1产品详细规格

规格书 IXGR35N120BD1 datasheet 规格书
IXGR35N120BD1
标准包装 30
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
蒸气云爆炸(上)(最大值)”的发展,集成电路 3.5V @ 15V, 35A
集电极电流(Ic)(最大) 54A
当前 - Collector Pulsed (Icm) 200A
功率 - 最大 250W
Switching 能源 900µJ (on), 3.8mJ (off)
输入 型 Standard
栅极电荷 140nC
Td(开/关)@ 25°C 40ns/270ns
测试条件 -
反向恢复时间(trr) 40ns
包装材料 Tube
包/盒 ISOPLUS247™
安装类型 Through Hole
供应商器件封装 ISOPLUS247™
供应商封装形式 ISOPLUS247
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 54
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装宽度 5.21(Max)
标准包装名称 ISOPLUS247
包装高度 21.34(Max)
安装 Through Hole
最大功率耗散 250000
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 1200
标签 Tab
PCB 3
包装长度 16.13(Max)
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Through Hole
栅极电荷 140nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 54A
安装类型 Through Hole
标准包装 30
开关能量 900µJ (on), 3.8mJ (off)
时间Td(开/关) @ 25°C 40ns/270ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 3.5V @ 15V, 35A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
供应商设备封装 ISOPLUS247™
反向恢复时间(trr ) 40ns
封装 Tube
功率 - 最大 250W
输入类型 Standard
封装/外壳 ISOPLUS247™
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 200A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 30
连续集电极电流Ic最大 54 A
系列 IXGR35N120
集电极 - 发射极最大电压VCEO 1200 V
安装风格 SMD/SMT
最大栅极发射极电压 +/- 20 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
品牌 IXYS
身高 21.34 mm
宽度 5.21 mm
长度 16.13 mm
技术 Si

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