IXGH10N300

产品描述

IGBT Transistors Very High Voltage NPT IGBT; 3000V VCES

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规格书	IXGH10N300
标准包装	30
IGBT 型	-
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	3000V
蒸气云爆炸（上）（最大值）”的发展，集成电路	5.2V @ 15V, 30A
集电极电流（Ic）（最大）	18A
当前 - Collector Pulsed (Icm)	40A
功率 - 最大	100W
Switching 能源	-
输入型	Standard
栅极电荷	32nC
Td（开/关）@ 25°C	72ns/154ns
测试条件	-
反向恢复时间（trr）	-
包装材料	Tube
包/盒	TO-247-3 (TO-247AD)
安装类型	Through Hole
供应商器件封装	TO-247AD
动态目录	Standard IGBTs###/catalog/en/partgroup/standard-igbts/17423?mpart=IXGH10N300&vendor=238&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0
栅极电荷	32nC
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	18A
安装类型	Through Hole
标准包装	30
时间Td（开/关） @ 25°C	72ns/154ns
Vce（开）（最大值） Vge，Ic时	5.2V @ 15V, 30A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	3000V
供应商设备封装	TO-247AD
封装	Tube
功率 - 最大	100W
输入类型	Standard
封装/外壳	TO-247-3
电流 - 集电极脉冲（ ICM ）	40A

型号	厂家	产品描述
IXGH10N100A	IXYS	MOSFET 10 Amps 1000V 4 Rds
IXGH10N170	IXYS	IGBT Transistors 20 Amps 1700 V 4 V Rds
IXGH10N170A	IXYS	IGBT Transistors 20 Amps 1700 V 7 V Rds
IXGH10N60AU1	IXYS	IGBT Transistors G-series A,B,C
IXGH100N30C3	IXYS	IGBT Transistors 100 Amps 300V
IXGH120N30B3	IXYS	IGBT Transistors 120 Amps 300V
IXGH120N30C3	IXYS	IGBT Transistors 120 Amps 300V
IXGH12N100	IXYS	IGBT Transistors 24Amps 1000V
IXGH12N120A2D1	IXYS	MOSFET 24 Amps 1200V 2.7 Rds
IXGH12N60B	IXYS	IGBT Transistors 24 Amps 600V 2.1 Rds
IXGH12N60BD1	IXYS	IGBT Transistors 24 Amps 600V 2.1 Rds
IXGH12N60C	IXYS	IGBT Transistors 20 Amps 600V 2.7 Rds
IXGH12N60CD1	IXYS	IGBT Transistors 24 Amps 600V 2.7 Rds
IXGH12N90C	IXYS	IGBT Transistors 24 Amps 900V 3 Rds
IXGH15N120B	IXYS	IGBT Transistors 30 Amps 1200V 3.2 Rds
IXGH15N120B2D1	IXYS	IGBT Transistors 30 Amps 1200V 2.7 V Rds
IXGH15N120BD1	IXYS	IGBT Transistors 30 Amps 1200V 3.2 Rds
IXGH15N120CD1	IXYS	IGBT Transistors 30 Amps 1200V 3.8 Rds
IXGH16N170	IXYS	IGBT Transistors 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds
IXGH16N170A	IXYS	IGBT Transistors 32 Amps 1700 V 5 V Rds

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