1. IXFT18N100Q3
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IXFT18N100Q3 

产品描述

MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A

内部编号

184-IXFT18N100Q3

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:11
30+¥91.652
最小起订量:30
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:25
1+¥105.2322
10+¥88.3431
100+¥83.2148
250+¥75.8301
500+¥70.9753
1000+¥65.0949
最小起订量:1
美国加州
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#3

数量:11
1+¥120.94
5+¥119.71
10+¥108.87
30+¥107.81
90+¥106.75
最小起订量:1
英国伦敦
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IXFT18N100Q3产品详细规格

规格书 IXFT18N100Q3 datasheet 规格书
IXFx18N100Q3
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 30
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 1000V (1kV)
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 18A
Rds(最大)@ ID,VGS 660 mOhm @ 9A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 6.5V @ 4mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 90nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 4890pF @ 25V
功率 - 最大 830W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供应商器件封装 TO-268
包装材料 Tube

IXFT18N100Q3系列产品

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