IS65C1024AL-45TLA3-TR

产品描述

SRAM 1M (128Kx8) 45ns Async SRAM

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规格书	IS6xC1024AL
Rohs	Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装	1,500
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	SRAM - Asynchronous
内存大小	1M (128K x 8)
速度	45ns
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	4.5 V ~ 5.5 V
操作温度	-40°C ~ 125°C
包/盒	32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
供应商器件封装	32-TSOP I
包装材料	Tape & Reel (TR)
封装	Tape & Reel (TR)
格式 - 存储器	RAM
标准包装	1,500
供应商设备封装	32-TSOP I
内存类型	SRAM - Asynchronous
工作温度	-40°C ~ 125°C
存储容量	1M (128K x 8)
电压 - 电源	4.5 V ~ 5.5 V
封装/外壳	32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
接口	Parallel
速度	45ns
最大工作电流	35 mA
产品种类	SRAM
工厂包装数量	1500
系列	IS65C1024AL
安装风格	SMD/SMT
电源电压 - 最大	5.5 V
访问时间	45 ns
最低工作温度	- 40 C
电源电压 - 最小	4.5 V
最高工作温度	+ 125 C
类型	Asynchronous
RoHS	RoHS Compliant
端口数	1
品牌	ISSI
数据传输速率	SDR
电源电流 - 最大	35 mA

型号	厂家	产品描述
IS65C1024AL-45TLA3	ISSI	SRAM 1M (128Kx8) 45ns Async SRAM
IS65C1024AL-45QA3	Integrated Silicon Solution Inc	SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 45ns 32-Pin SOP
IS65C1024AL-45QLA3	ISSI	SRAM 1M (128Kx8) 45ns Async SRAM
IS65C1024AL-45QLA3-TR	ISSI	SRAM 1M (128Kx8) 45ns Async SRAM
IS65C25616BL-45CTLA3 TR	Integrated Silicon Solution Inc
IS65C256AL-25TLA3	ISSI	SRAM 256K (32Kx8) 25ns 5V Async SRAM
IS65C256AL-25TLA3-TR	ISSI	SRAM 256K (32Kx8) 25ns 5V Async SRAM
IS65C256AL-25ULA3	ISSI	SRAM 256K 32Kx8 25ns 5V Async SRAM
IS65C256AL-25ULA3-TR	ISSI	SRAM 256K 32Kx8 25ns 5V Async SRAM
IS65LV256AL-45TLA3	ISSI	SRAM 256K (32Kx8) 45ns 5V Async SRAM
IS65LV256AL-45TLA3-TR	ISSI	SRAM 256K (32Kx8) 45ns 5V Async SRAM
IS65WV12816BLL-55BLA3	ISSI	SRAM 2M (128Kx16) 55ns Async SRAM
IS65WV12816BLL-55BLA3-TR	ISSI	SRAM 2M (128Kx16) 55ns Async SRAM
IS65WV12816BLL-55TA3	ISSI	SRAM 2M (128Kx16) 55ns Async SRAM
IS65WV12816BLL-55TA3-TR	ISSI	SRAM 2M (128Kx16) 55ns Async SRAM
IS65WV12816BLL-55TLA3	ISSI	SRAM 2M (128Kx16) 55ns Async SRAM
IS65WV12816BLL-55TLA3-TR	ISSI	SRAM 2M (128Kx16) 55ns Async SRAM
IS65WV1288BLL-55HLA1	ISSI	SRAM 1M (128Kx8) 55ns Async SRAM
IS65WV1288BLL-55HLA1-TR	ISSI	SRAM 1M (128Kx8) 55ns Async SRAM
IS65WV1288DBL>>	integrated silicon solutions	ISNIS65WV1288DBLL-45TLA3-TR ULTRA LOW PO

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