规格书 |
![]() ![]() IS42S32400E ![]() |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 108 |
格式 - 记忆 | RAM |
Memory 型 | SDRAM |
内存大小 | 128M (4Mx32) |
速度 | 166MHz |
接口 | Parallel (Byte-wide) |
- 电源电压 | 3 V ~ 3.6 V |
操作温度 | 0°C ~ 70°C |
包/盒 | 86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width) |
供应商器件封装 | 86-TSOP II |
包装材料 | Tray |
包装 | 86TSOP-II |
类型 | SDRAM |
密度 | 128 Mb |
地址总线宽度 | 14 Bit |
工作电源电压 | 3.3 V |
最大时钟频率 | 166 MHz |
最大随机存取时间 | 6.5|5.4 ns |
工作温度 | 0 to 70 °C |
标准包装 | Trays |
安装 | Surface Mount |
包装宽度 | 10.29(Max) |
组织 | 4Mx32 |
PCB | 86 |
筛选等级 | Commercial |
地址总线宽度 | 14 |
典型工作电源电压 | 3.3 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
密度 | 128M |
内部银行的数量 | 4 |
最低工作温度 | 0 |
供应商封装形式 | TSOP-II |
标准包装名称 | TSOP |
最高工作温度 | 70 |
最大时钟频率 | 166 |
数据总线宽度 | 32 |
包装长度 | 22.42(Max) |
最低工作电源电压 | 3 |
引脚数 | 86 |
最大工作电流 | 180 |
包装高度 | 1.05(Max) |
最大随机存取时间 | 6.5|5.4 |
每行字数 | 1M |
最大工作电源电压 | 3.6 |
铅形状 | Gull-wing |
封装 | Tray |
格式 - 存储器 | RAM |
供应商设备封装 | 86-TSOP II |
内存类型 | SDRAM |
存储容量 | 128M (4M x 32) |
电压 - 电源 | 3 V ~ 3.6 V |
接口 | Parallel |
速度 | 166MHz |
封装/外壳 | 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 108 |
产品种类 | DRAM |
数据总线宽度 | 32 bit |
最大工作电流 | 180 mA |
系列 | IS42S32400E |
安装风格 | SMD/SMT |
电源电压 - 最大 | 3.6 V |
RoHS | RoHS Compliant |
最低工作温度 | 0 C |
封装/外壳 | TSOP-86 |
最大时钟频率 | 166 MHz |
电源电压 - 最小 | 3 V |
最高工作温度 | + 70 C |
访问时间 | 6.5 ns, 5.4 ns |
访问时间(最大) | 6.5/5.4 ns |
地址总线 | 14 b |
工作温度范围 | 0C to 70C |
包装类型 | TSOP-II |
工作温度分类 | Commercial |
电源电流 | 180 mA |
弧度硬化 | No |
工作电源电压(典型值) | 3.3 V |
工作电源电压(最小值) | 3 V |
工作电源电压(最大值) | 3.6 V |
删除 | Compliant |
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