IS42S16160D-7B-TR

产品描述

DRAM 256M (16Mx16) 143MHz SDRAM, 3.3v

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规格书	IS4xS16160D, IS4xS83200D
Rohs	Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装	2,500
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	SDRAM
内存大小	256M (16Mx16)
速度	143MHz
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	3 V ~ 3.6 V
操作温度	0°C ~ 70°C
包/盒	54-BGA
供应商器件封装	54-TFBGA (8x13)
包装材料	Tape & Reel (TR)
封装	Tape & Reel (TR)
格式 - 存储器	RAM
标准包装	2,500
供应商设备封装	54-TFBGA (8x13)
内存类型	SDRAM
工作温度	0°C ~ 70°C
存储容量	256M (16M x 16)
电压 - 电源	3 V ~ 3.6 V
封装/外壳	54-TFBGA
接口	Parallel
速度	143MHz
最大工作电流	130 mA
产品种类	DRAM
数据总线宽度	16 bit
工厂包装数量	2500
系列	IS42S16160D-7
安装风格	SMD/SMT
电源电压 - 最大	3.6 V
RoHS	No
最低工作温度	0 C
最大时钟频率	143 MHz
电源电压 - 最小	3 V
最高工作温度	+ 70 C
访问时间	6.5 ns, 5.4 ns

型号	厂家	产品描述
IS42S16160D-7B	ISSI	DRAM 256M (16Mx16) 143MHz SDRAM, 3.3v
IS42S16160D-7BI	integrated silicon solutions	DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA
IS42S16160D-7BI-TR	ISSI	DRAM 256M (16Mx16) 143MHz SDRAM, 3.3v
IS42S16160D-7BL	integrated silicon solutions	DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA
IS42S16160D-7BL-TR	ISSI	DRAM 256M (16Mx16) 143MHz SDRAM, 3.3v
IS42S16160D-7BLI	ISSI	DRAM 256M (16Mx16) 143MHz SDRAM, 3.3v
IS42S16160D-7BLI-TR	ISSI	DRAM 256M (16Mx16) 143MHz SDRAM, 3.3v
IS42S16160D-75EBL	ISSI	DRAM 256M (16Mx16) 133MHz SDRAM, 3.3v
IS42S16160D-75EBL-TR	ISSI	DRAM 256M (16Mx16) 133MHz SDRAM, 3.3v
IS42S16160D-75EBLI	ISSI	DRAM 256M (16Mx16) 133MHz SDRAM, 3.3v
IS42S16160D-75EBLI-TR	ISSI	DRAM 256M (16Mx16) 133MHz SDRAM, 3.3v
IS42S16160D-75ETL	ISSI	DRAM 256M (16Mx16) 133MHz SDRAM, 3.3v
IS42S16160D-75ETL-TR	ISSI	DRAM 256M (16Mx16) 133MHz SDRAM, 3.3v
IS42S16160D-75ETLI	ISSI	DRAM 256M (32Mx8) 166MHz SDRAM, 3.3v
IS42S16160D-75ETLI-TR	ISSI	DRAM 256M (16Mx16) 133MHz SDRAM, 3.3v
IS42S16160D-7TL	integrated silicon solutions	DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II
IS42S16160D-7TL-TR	ISSI	DRAM 256M (16Mx16) 143MHz SDRAM, 3.3v
IS42S16160D-7TLI	ISSI	DRAM 256M (16Mx16) 143MHz SDRAM, 3.3v
IS42S16160D-7TLI-TR	ISSI	DRAM 256M (16Mx16) 143MHz SDRAM, 3.3v
IS42S16160D-6B	ISSI	DRAM 256M (16Mx16) 166MHz Commercial Temp

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