图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 100V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 10A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 180 mOhm @ 6A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 20nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 440pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3.8W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-262 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 最大连续漏极电流 | 10 A |
| RDS -于 | 180@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±16 V |
| 典型导通延迟时间 | 4 ns |
| 典型上升时间 | 35 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 典型下降时间 | 22 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| RoHS指令 | RoHS Compliant Part |
| 案例 | TO262 |
| Transistor kind | HEXFET |
| Transistor type | N-MOSFET |
| 功率 | 48W |
| Drain-source voltage | 100V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 10A |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 0.43 g |
| Collective package [pcs] | 50 |
| spg | 50 |
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