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厂商型号

IRGS4B60KD1TRRP 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

内部编号

176-IRGS4B60KD1TRRP

#1

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IRGS4B60KD1TRRP产品详细规格

规格书 IRGS4B60KD1TRRP datasheet 规格书
IRGS4B60KD1TRRP datasheet 规格书
IRGS4B60KD1TRRP datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 800
IGBT 型 NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 4A
- 集电极电流(Ic)(最大) 11A
功率 - 最大 63W
Input 型 Standard
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3D2PAK
配置 Single
最大集电极发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 11 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
栅极电荷 12nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 11A
安装类型 Surface Mount
开关能量 120µJ
时间Td(开/关) @ 25°C 22ns/100ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.5V @ 15V, 4A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 D2PAK
反向恢复时间(trr ) 93ns
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 63W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IGBT类型 NPT
测试条件 400V, 4A, 100 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 22A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 800
连续集电极电流在25 C 11 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
安装风格 SMD/SMT
最低工作温度 - 55 C
最高工作温度 + 175 C
RoHS RoHS Compliant

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