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厂商型号

IRFR3704 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 20V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK

内部编号

176-IRFR3704

#1

期货
300 ¥8.122
525 ¥7.756
1050 ¥7.434
1500 ¥7.39
3000 ¥6.522

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IRFR3704产品详细规格

规格书 IRFR3704 datasheet 规格书
IRFR3704 datasheet 规格书
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装 75
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 75A
Rds(最大)@ ID,VGS 9.5 mOhm @ 15A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 19nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1996pF @ 10V
功率 - 最大 62W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 D-Pak
包装材料 Tube
包装 3DPAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 75 A
RDS -于 9.5@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 8.4 ns
典型上升时间 98 ns
典型关闭延迟时间 12 ns
典型下降时间 5 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Bulk
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tube
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 75A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 20V
供应商设备封装 D-Pak
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 9.5 mOhm @ 15A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 62W
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
输入电容(Ciss ) @ VDS 1996pF @ 10V
其他名称 *IRFR3704
闸电荷(Qg ) @ VGS 19nC @ 4.5V
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

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