规格书 |
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文档 |
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 250V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 19A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 46 mOhm @ 11A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 110nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 4480pF @ 25V |
功率 - 最大 | 46W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220AB Full-Pak |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 250 V |
最大连续漏极电流 | 19 A |
RDS -于 | 46@10V mOhm |
最大门源电压 | ±30 V |
工作温度 | -40 to 150 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
最大门源电压 | ±30 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-220 |
最低工作温度 | -40 |
渠道类型 | N |
最大漏源电阻 | 46@10V |
最大漏源电压 | 250 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | TO-220AB Full-Pak |
最大功率耗散 | 46000 |
最大连续漏极电流 | 19 |
引脚数 | 3 |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 19A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 250V |
供应商设备封装 | TO-220AB |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 46 mOhm @ 11A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 46W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 4480pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 110nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-220-3 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
连续漏极电流 | 19 A |
栅源电压(最大值) | �30 V |
功率耗散 | 46 W |
漏源导通电阻 | 0.046 ohm |
工作温度范围 | -40C to 150C |
包装类型 | TO-220AB Full-Pak |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Automotive |
漏源导通电压 | 250 V |
弧度硬化 | No |
案例 | TO220ISO |
Transistor kind | HEXFET |
Transistor type | N-MOSFET |
功率 | 46W |
Drain-source voltage | 250V |
极化 | unipolar |
Drain current | 19A |
Multiplicity | 1 |
Gross weight | 1.74 g |
Package type | roll |
Collective package [pcs] | 100 |
spg | 100 |
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