规格书 |
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文档 |
IRF6636 Spice Model IRF6636 Saber Model Multiple Devices 20/Dec/2013 DirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 18A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 4.5 mOhm @ 18A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.45V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 27nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2420pF @ 10V |
功率 - 最大 | 2.2W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | DirectFET™ Isometric ST |
供应商器件封装 | DIRECTFET™ ST |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 7Direct-FET ST |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 20 V |
最大连续漏极电流 | 18 A |
RDS -于 | 4.5@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 14 ns |
典型上升时间 | 19 ns |
典型关闭延迟时间 | 16 ns |
典型下降时间 | 6.2 ns |
工作温度 | -40 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | Direct-FET |
最低工作温度 | -40 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 4.5@10V |
最大漏源电压 | 20 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | Direct-FET ST |
最大功率耗散 | 2200 |
最大连续漏极电流 | 18 |
引脚数 | 7 |
铅形状 | Gull-wing|No Lead |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 18A (Ta), 81A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.45V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
供应商设备封装 | DIRECTFET™ ST |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 4.5 mOhm @ 18A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 2.2W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 2420pF @ 10V |
其他名称 | IRF6636TR1PBFTR |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 27nC @ 4.5V |
封装/外壳 | DirectFET™ Isometric ST |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
连续漏极电流 | 18 A |
栅源电压(最大值) | �20 V |
功率耗散 | 2.2 W |
漏源导通电阻 | 0.0045 ohm |
工作温度范围 | -40C to 150C |
包装类型 | Direct-FET ST |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Automotive |
漏源导通电压 | 20 V |
弧度硬化 | No |
晶体管极性 | :N Channel |
Weight (kg) | 0.002 |
Tariff No. | 85412900 |
案例 | DirectFET |
Transistor type | N-MOSFET |
功率 | 42W |
Drain-source voltage | 20V |
极化 | unipolar |
Drain current | 18A |
Multiplicity | 1000 |
Gross weight | 0.43 g |
Package type | roll |
Collective package [pcs] | 1000 |
spg | 1000 |
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