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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IRF6636TR1PBF 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 7-Pin Direct-FET ST T/R

内部编号

176-IRF6636TR1PBF

#1

数量:173
最小起订量:1
加拿大温哥华
当天发货,1-3个工作日送达.
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#2

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IRF6636TR1PBF产品详细规格

规格书 IRF6636TR1PBF datasheet 规格书
IRF6636TR1PBF datasheet 规格书
文档 IRF6636 Spice Model
IRF6636 Saber Model
Multiple Devices 20/Dec/2013
DirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 18A
Rds(最大)@ ID,VGS 4.5 mOhm @ 18A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.45V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 27nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2420pF @ 10V
功率 - 最大 2.2W
安装类型 Surface Mount
包/盒 DirectFET™ Isometric ST
供应商器件封装 DIRECTFET™ ST
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 7Direct-FET ST
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 18 A
RDS -于 4.5@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 14 ns
典型上升时间 19 ns
典型关闭延迟时间 16 ns
典型下降时间 6.2 ns
工作温度 -40 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 Direct-FET
最低工作温度 -40
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 4.5@10V
最大漏源电压 20
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 Direct-FET ST
最大功率耗散 2200
最大连续漏极电流 18
引脚数 7
铅形状 Gull-wing|No Lead
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 18A (Ta), 81A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.45V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 20V
供应商设备封装 DIRECTFET™ ST
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 4.5 mOhm @ 18A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.2W
输入电容(Ciss ) @ VDS 2420pF @ 10V
其他名称 IRF6636TR1PBFTR
闸电荷(Qg ) @ VGS 27nC @ 4.5V
封装/外壳 DirectFET™ Isometric ST
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
连续漏极电流 18 A
栅源电压(最大值) �20 V
功率耗散 2.2 W
漏源导通电阻 0.0045 ohm
工作温度范围 -40C to 150C
包装类型 Direct-FET ST
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Automotive
漏源导通电压 20 V
弧度硬化 No
晶体管极性 :N Channel
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85412900
案例 DirectFET
Transistor type N-MOSFET
功率 42W
Drain-source voltage 20V
极化 unipolar
Drain current 18A
Multiplicity 1000
Gross weight 0.43 g
Package type roll
Collective package [pcs] 1000
spg 1000

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