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| 规格书 |
 IRF6618/TR1 |
| 文档 |
DirectFET MOSFET 4Ps Checklist IRF6618 Spice Model IRF6618 Saber Model (EP) Parts 25/May/2012 |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 标准包装 | 4,800 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 30A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 2.2 mOhm @ 30A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.35V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 65nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 5640pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 2.8W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | DirectFET™ Isometric MT |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MT |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | Direct-FET |
| 最低工作温度 | -40 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 2.2@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | Direct-FET MT |
| 最大功率耗散 | 2800 |
| 最大连续漏极电流 | 170 |
| 引脚数 | 7 |
| 铅形状 | Gull-wing|No Lead |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 30A (Ta), 170A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.35V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 标准包装 | 4,800 |
| 供应商设备封装 | DIRECTFET™ MT |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.2 mOhm @ 30A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.8W |
| 封装/外壳 | DirectFET™ Isometric MT |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 5640pF @ 15V |
| 其他名称 | IRF6618TR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 65nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 连续漏极电流 | 170 A |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 功率耗散 | 2.8 W |
| 安装 | Surface Mount |
| 漏源导通电阻 | 0.0022 ohm |
| 工作温度范围 | -40C to 150C |
| 包装类型 | Direct-FET MT |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Automotive |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 弧度硬化 | No |
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