图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 AUIRFS(L)3107 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 195A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 75V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 3 mOhm @ 140A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 370W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 9370pF @ 50V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 240nC @ 10V |
| 类别 | Power MOSFET |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
| 身高 | 4.83mm |
| 长度 | 10.67mm |
| 最大连续漏极电流 | 195 A, 230 A |
| 最大漏源电阻 | 3 mΩ |
| 最大漏源电压 | 75 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 370 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | D2PAK |
| 引脚数 | 3 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 160 nC @ 10 V |
| 典型输入电容@ VDS | 9370 pF @ 50 V |
| 典型关闭延迟时间 | 99 ns |
| 典型导通延迟时间 | 19 ns |
| 宽度 | 9.65mm |
| RoHS指令 | Compliant |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 功率耗散 | 370 W |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 75 V |
| 弧度硬化 | No |
| 连续漏极电流 | 230 A |
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