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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IRG4BC30KD-SPBF 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

内部编号

176-IRG4BC30KD-SPBF

#1

数量:23
1+¥54.3779
50+¥50.7699
100+¥47.1618
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IRG4BC30KD-SPBF产品详细规格

规格书 IRG4BC30KD-SPBF datasheet 规格书
IRG4BC30KD-SPBF datasheet 规格书
文档 IGBT D2Pak Mold Compound 16/Sep/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 16A
- 集电极电流(Ic)(最大) 28A
功率 - 最大 100W
Input 型 Standard
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
包装材料 Tube
包装 3D2PAK
配置 Single
最大集电极发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 28 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Surface Mount
标准包装 Rail / Tube
供应商封装形式 D2PAK
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 28
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 D2PAK
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 600
最大功率耗散 100000
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
栅极电荷 67nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 28A
安装类型 Surface Mount
开关能量 1.18mJ
时间Td(开/关) @ 25°C 60ns/160ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.7V @ 15V, 16A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 D2PAK
反向恢复时间(trr ) 42ns
封装 Tube
功率 - 最大 100W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
测试条件 480V, 16A, 23 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 56A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
外形尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm
身高 4.83mm
长度 10.67mm
最高工作温度 +150 °C
最低工作温度 -55 °C
包装类型 D2PAK
宽度 9.65mm
工厂包装数量 50
集电极 - 发射极饱和电压 2.7 V
栅极 - 射极漏泄电流 100 nA
连续集电极电流Ic最大 28 A
连续集电极电流在25 C 28 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 100 W
RoHS RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 28 A
集电极 - 发射极电压 600 V
工作温度(最大) 150C
工作温度(最小值) -55C
工作温度分类 Military
Gate to Emitter Voltage (Max) �20 V
弧度硬化 No
删除 Compliant
集电极电流(DC ) 28 A
案例 D2PAK
Transistor type IGBT
功率 100W
Collector-emitter voltage 600V
Multiplicity 1
Collector current 28A
Gross weight 2.56 g
Collective package [pcs] 50
spg 50
Collector-emitter saturation voltage 2.7
Current release time 160
Power dissipation 100
Housing type D2-PAK
Collector-emitter breakdown voltage 600

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