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文档 |
IGBT D2Pak Mold Compound 16/Sep/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
IGBT 型 | - |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 600V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 16A |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 28A |
功率 - 最大 | 100W |
Input 型 | Standard |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
包装材料 | Tube |
包装 | 3D2PAK |
配置 | Single |
最大集电极发射极电压 | 600 V |
最大连续集电极电流 | 28 A |
最大栅极发射极电压 | ±20 V |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Rail / Tube |
供应商封装形式 | D2PAK |
最大栅极发射极电压 | ±20 |
最大连续集电极电流 | 28 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | D2PAK |
渠道类型 | N |
最大集电极发射极电压 | 600 |
最大功率耗散 | 100000 |
最低工作温度 | -55 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Gull-wing |
栅极电荷 | 67nC |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 28A |
安装类型 | Surface Mount |
开关能量 | 1.18mJ |
时间Td(开/关) @ 25°C | 60ns/160ns |
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 | 2.7V @ 15V, 16A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 600V |
供应商设备封装 | D2PAK |
反向恢复时间(trr ) | 42ns |
封装 | Tube |
功率 - 最大 | 100W |
输入类型 | Standard |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
测试条件 | 480V, 16A, 23 Ohm, 15V |
电流 - 集电极脉冲( ICM ) | 56A |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
外形尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
身高 | 4.83mm |
长度 | 10.67mm |
最高工作温度 | +150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
包装类型 | D2PAK |
宽度 | 9.65mm |
工厂包装数量 | 50 |
集电极 - 发射极饱和电压 | 2.7 V |
栅极 - 射极漏泄电流 | 100 nA |
连续集电极电流Ic最大 | 28 A |
连续集电极电流在25 C | 28 A |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 600 V |
安装风格 | SMD/SMT |
功率耗散 | 100 W |
RoHS | RoHS Compliant |
集电极电流( DC)(最大值) | 28 A |
集电极 - 发射极电压 | 600 V |
工作温度(最大) | 150C |
工作温度(最小值) | -55C |
工作温度分类 | Military |
Gate to Emitter Voltage (Max) | �20 V |
弧度硬化 | No |
删除 | Compliant |
集电极电流(DC ) | 28 A |
案例 | D2PAK |
Transistor type | IGBT |
功率 | 100W |
Collector-emitter voltage | 600V |
Multiplicity | 1 |
Collector current | 28A |
Gross weight | 2.56 g |
Collective package [pcs] | 50 |
spg | 50 |
Collector-emitter saturation voltage | 2.7 |
Current release time | 160 |
Power dissipation | 100 |
Housing type | D2-PAK |
Collector-emitter breakdown voltage | 600 |
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