厂商型号:

IRG4BC30K-SPBF

芯天下内部编号:
176-IRG4BC30K-SPBF
生产厂商:

International Rectifier

microsemi
描述:
I
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
供应商封装形式 D2PAK
Maximum Gate Emitter Voltage ±20
Maximum Continuous Collector Current 28
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 D2PAK
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 600
最大功率耗散 100000
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
栅极电荷 67nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 28A
安装类型 Surface Mount
标准包装 50
开关能量 870µJ
时间Td(开/关) @ 25°C 26ns/130ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.7V @ 15V, 16A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 D2PAK
封装 Tube
功率 - 最大 100W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
测试条件 480V, 16A, 23 Ohm, 15V
其他名称 *IRG4BC30K-SPBF
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 56A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流(DC ) 28 A
集电极 - 发射极电压 600 V
安装 Surface Mount
包装类型 D2PAK
工作温度(最大) 150C
工作温度(最小值) -55C
工作温度分类 Military
配置 Single
Gate to Emitter Voltage (Max) �20 V
弧度硬化 No
案例 D2PAK
Transistor type IGBT
功率 100W
Collector-emitter voltage 600V
Multiplicity 1
Collector current 28A
Gross weight 0.43 g
Collective package [pcs] 50
spg 50

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