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规格书 |
SPN02N60C3 |
文档 |
SPN0xN60x 18/Dec/2009 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
产品培训模块 | |
标准包装 | 4,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 650V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 400mA |
Rds(最大)@ ID,VGS | 2.5 Ohm @ 1.1A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3.9V @ 80µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 13nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 200pF @ 25V |
功率 - 最大 | 1.8W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-261-4, TO-261AA |
供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
FET特点 | Standard |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 400mA (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3.9V @ 80µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
标准包装 | 4,000 |
供应商设备封装 | PG-SOT223-4 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 2.5 Ohm @ 1.1A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 1.8W |
封装/外壳 | TO-261-4, TO-261AA |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 200pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 13nC @ 10V |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 400mA (Ta) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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