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| 规格书 |
 SPN02N60C3 |
| 文档 |
SPN0xN60x 18/Dec/2009 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品培训模块 | |
| 标准包装 | 4,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 650V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 400mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 2.5 Ohm @ 1.1A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3.9V @ 80µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 13nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 200pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.8W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-261-4, TO-261AA |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 400mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.9V @ 80µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 650V |
| 标准包装 | 4,000 |
| 供应商设备封装 | PG-SOT223-4 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.5 Ohm @ 1.1A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.8W |
| 封装/外壳 | TO-261-4, TO-261AA |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 200pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 13nC @ 10V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 400mA (Ta) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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