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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

SMBTA 42 E6327 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN 300 V 500 mA

内部编号

173-SMBTA-42-E6327

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:12000
3000+¥0.346
6000+¥0.295
15000+¥0.251
30000+¥0.229
75000+¥0.206
150000+¥0.188
最小起订量:3000
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:4234
1+¥2.0513
10+¥1.4086
100+¥0.588
1000+¥0.3966
3000+¥0.3145
9000+¥0.2667
24000+¥0.253
48000+¥0.2325
96000+¥0.2051
最小起订量:1
美国加州
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#3

数量:14544
1+¥3.734
10+¥2.556
25+¥1.73
100+¥1.203
250+¥0.857
500+¥0.654
1000+¥0.442
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SMBTA 42 E6327产品详细规格

规格书 SMBTA 42 E6327 datasheet 规格书
SMBTA42, MMBTA42
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 300V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 2mA, 20mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 40 @ 30mA, 10V
功率 - 最大 360mW
频率转换 70MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 PG-SOT23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 70MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 2mA, 20mA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 300V
供应商设备封装 PG-SOT23-3
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 360mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 40 @ 30mA, 10V
其他名称 SMBTA42E6327INCT
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
增益带宽产品fT 70 MHz
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
最大功率耗散 360 mW
系列 SMBTA42
直流集电极/增益hfe最小值 25 at 1 mA at 10 V
集电极最大直流电流 0.5 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 300 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 300 V
最低工作温度 - 65 C
零件号别名 SMBTA42E6327HTSA1 SP000011000
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
宽度 1.3 mm
品牌 Infineon Technologies
集电极 - 发射极饱和电压 0.5 V
长度 2.9 mm
连续集电极电流 500 mA
身高 1 mm
Pd - Power Dissipation 360 mW

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