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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

SKB02N120ATMA1 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 6.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263

内部编号

173-SKB02N120ATMA1

生产厂商

Infineon Technologies AG

infineon

#1

 期货
1000 ¥7.254

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税
支付方式

SKB02N120ATMA1产品详细规格

供应商封装形式 TO-263
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 6.2
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 D2PAK
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 1200
最大功率耗散 62000
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Gull-wing

SKB02N120ATMA1系列产品

型号厂家产品描述
SKB02N120 infineon technologies Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 6.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263
SKB02N60 infineon technologies Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-263
SKB02N60-E3266 infineon technologies Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
SKB02N60ATMA1 Infineon Technologies AG Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-263
SKB02N60E3266ATMA1 Infineon Technologies AG Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R

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