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IPP04CN10NGXKSA1现货价格
IPP04CN10NGXKSA1现货价格
产品分类
半导体与光电子
分立式半导体
晶体管
MOSFET
IPP04CN10NGXKSA1
图片仅供参考,产品以实物为准
厂商型号
IPP04CN10NGXKSA1
产品描述
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220
内部编号
173-IPP04CN10NGXKSA1
生产厂商
Infineon Technologies AG
库存信息
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支付方式
全面支持货到付款
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IPP04CN10NGXKSA1产品详细规格
规格书
最大门源电压
±20
安装
Through Hole
包装宽度
4.57(Max)
PCB
3
最大功率耗散
300000
最大漏源电压
100
欧盟RoHS指令
Compliant
最大漏源电阻
4.2@10V
每个芯片的元件数
1
最低工作温度
-55
供应商封装形式
TO-220
标准包装名称
TO-220
最高工作温度
175
渠道类型
N
包装长度
10.36(Max)
引脚数
3
通道模式
Enhancement
包装高度
9.45(Max)
最大连续漏极电流
100
标签
Tab
铅形状
Through Hole
安装风格
Through Hole
晶体管极性
N-Channel
源极击穿电压
20 V
连续漏极电流
100 A
RDS(ON)
3.9 mOhms
封装
Tube
功率耗散
300 W
商品名
OptiMOS
封装/外壳
TO-220-3
零件号别名
SP000680796
漏源击穿电压
100 V
RoHS
RoHS Compliant
工厂包装数量
500
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
晶体管类型
1 N-Channel
品牌
Infineon Technologies
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
身高
15.65 mm
宽度
4.4 mm
长度
10 mm
通道数
1 Channel
Rds On - Drain-Source Resistance
3.9 mOhms
Pd - Power Dissipation
300 W
Id - Continuous Drain Current
100 A
技术
Si
IPP04CN10NGXKSA1系列产品
型号
厂家
产品描述
IPP04CN10N G
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A 3.9mOhms
IPP04CN10NG
infineon technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220
IPP04CN10NG
rochester electronics
IPP04CN10NGHKSA1
Infineon Technologies AG
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220
IPP04CN10NGXK
rochester electronics
IPP04CNE8N G
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 100A 3.9mOhms
IPP04CNE8NGXK
Infineon Technologies AG
Trans MOSFET N-CH 85V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220
IPP04N03LA
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IPP04N03LAXK
Infineon Technologies AG
Trans MOSFET N-CH 25V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IPP04N03LB G
Infineon Technologies
MOSFET N-KANAL POWER MOS
IPP04N03LBG
infineon technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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