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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPP015N04N G 

产品描述

MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 120A

内部编号

173-IPP015N04N-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:0
最小起订量:1
美国加州
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IPP015N04N G产品详细规格

规格书 IPP015N04N G datasheet 规格书
IPB,IPP015N04N G
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 40V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 120A
Rds(最大)@ ID,VGS 1.5 mOhm @ 100A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 200µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 250nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 20000pF @ 20V
功率 - 最大 250W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 PG-TO220-3
包装材料 Tube
P( TOT ) 250W
匹配代码 IPP015N04N G
安装 THT
R( THJC ) 0.6K/W
LogicLevel NO
包装 TO220-3
单位包 50
标准的提前期 100 weeks
最小起订量 500
Q(克) 250nC
LLRDS (上) n.s.Ohm
汽车 NO
LLRDS (上)在 n.s.V
我(D ) 120A
V( DS ) 40V
技术 OptiMOS 3
的RDS(on ) at10V 0.0015Ohm
无铅Defin RoHS-conform
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 120A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 200µA
漏极至源极电压(Vdss) 40V
供应商设备封装 PG-TO220-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 1.5 mOhm @ 100A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 250W
标准包装 500
输入电容(Ciss ) @ VDS 20000pF @ 20V
闸电荷(Qg ) @ VGS 250nC @ 10V
封装/外壳 TO-220-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 500
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 120 A
封装/外壳 TO-220
零件号别名 IPP015N04NGHKSA1 SP000391520
下降时间 13 ns
安装风格 Through Hole
产品种类 MOSFET
商品名 OptiMOS
配置 Single
最高工作温度 + 175 C
RoHS RoHS Compliant
典型关闭延迟时间 64 ns
源极击穿电压 +/- 20 V
系列 IPP015N04
RDS(ON) 1.5 mOhms
功率耗散 250 W
最低工作温度 - 55 C
上升时间 10 ns
漏源击穿电压 40 V
Continuous Drain Current Id :120A
Drain Source Voltage Vds :40V
On Resistance Rds(on) :1.2mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :2V
功耗 :250W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :175°C
Transistor Case Style :TO-220
No. of Pins :3
MSL :-
Current Id Max :120A
工作温度范围 :-55°C to +175°C
晶体管类型 :Power MOSFET
Voltage Vgs Max :20V
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85412900

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