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| 规格书 |
 IPx100P03P3L-04 |
| 文档 |
IP(B,I,P)100P03P3L-04 14/Aug/2009 |
| 产品更改通知 | IP(B,I,P)100P03P3L-04 Discontinuation 14/Aug/2009 |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 100A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 4.3 mOhm @ 80A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.1V @ 475µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 200nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 9300pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 200W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 包装材料 | Tube;;其他的名称； |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 100A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.1V @ 475µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 标准包装 | 500 |
| 供应商设备封装 | PG-TO262-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 4.3 mOhm @ 80A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 200W |
| 封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 9300pF @ 25V |
| 其他名称 | SP000311117 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 200nC @ 10V |
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