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厂商型号

IPD90N03S4L02ATMA1 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252

内部编号

173-IPD90N03S4L02ATMA1

#1

数量:1615
2500+¥8.035
最小起订量:2500
英国伦敦
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#2

数量:2500
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IPD90N03S4L02ATMA1产品详细规格

标准包装名称 DPAK
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
包装宽度 6.22
通道模式 Enhancement
最低工作温度 -55
包装高度 2.3
安装 Surface Mount
最大功率耗散 136000
渠道类型 N
最大漏源电阻 2.2@10V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
标签 Tab
供应商封装形式 TO-252
包装长度 6.5
PCB 2
最大连续漏极电流 90
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
工厂包装数量 2500
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
晶体管极性 N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 16 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V
宽度 6.22 mm
Qg - Gate Charge 140 nC
封装/外壳 TO-252-3
下降时间 13 ns
安装风格 SMD/SMT
品牌 Infineon Technologies
通道数 1 Channel
配置 1 N-Channel
最高工作温度 + 175 C
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 90 A
长度 6.5 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 1.8 mOhms
RoHS RoHS Compliant
典型关闭延迟时间 62 ns
系列 XPD90N03
身高 2.3 mm
封装 Reel
典型导通延迟时间 14 ns
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 136 W
上升时间 9 ns
技术 Si

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