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| 规格书 |
 IPB(I,P)100N06S3L-03 |
| 文档 |
Multiple Devices 22/Jul/2010 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 55V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 100A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 2.7 mOhm @ 80A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.2V @ 230µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 550nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 26240pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 100A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.2V @ 230µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 55V |
| 标准包装 | 1,000 |
| 供应商设备封装 | PG-TO263-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.7 mOhm @ 80A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 26240pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 550nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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