图片仅供参考,产品以实物为准
| 最大门源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装宽度 | 4.85(Max) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | TO-220 Full-Pak |
| 包装高度 | 9.83(Max) |
| 安装 | Through Hole |
| 最大功率耗散 | 35000 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 99@10V |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大漏源电压 | 600 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 标签 | Tab |
| 供应商封装形式 | TO-220 Full-Pak |
| 包装长度 | 10.65(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大连续漏极电流 | 37.9 |
| 引脚数 | 3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220FP-3 |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| 宽度 | 4.85 mm |
| Qg - Gate Charge | 119 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 下降时间 | 6 ns |
| 安装风格 | Through Hole |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | CoolMOS |
| 配置 | 1 N-Channel |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 37.9 A |
| 长度 | 10.65 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 90 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns |
| 系列 | CoolMOS C6 |
| 身高 | 16.15 mm |
| 封装 | Tube |
| 典型导通延迟时间 | 15 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 35 W |
| 上升时间 | 12 ns |
| 技术 | Si |
IPA60R099C6XKSA1相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家