图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 BCR135 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻 - 基地（R1）（欧姆） | 10k |
| 电阻器 - 发射基地（R2）（欧姆） | 47k |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 70 @ 5mA, 5V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 频率转换 | 150MHz |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT363-6 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | NPN Pre-Biased Transistor Arrays###/catalog/en/partgroup/npn-pre-biased-transistor-arrays/34099?mpart=BCR%20135S%20H6327&vendor=448&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| 频率 - 转换 | 150MHz |
| 电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆） | 10k |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | PG-SOT363-6 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆） | 47k |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 封装/外壳 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 70 @ 5mA, 5V |
| 其他名称 | BCR 135S H6327CT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品种类 | Transistors Switching - Resistor Biased |
| 系列 | BCR135 |
| 零件号别名 | BCR135SH6327XTSA1 SP000756248 |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 工厂包装数量 | 15000 |
BCR 135S H6327也可以通过以下分类找到
BCR 135S H6327相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家