图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:70 |
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最小起订量:5 英国伦敦 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:10 |
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最小起订量:5 英国伦敦 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:206 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
 IPx054,57N06N3 G |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 80A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 5.7 mOhm @ 80A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 58µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 82nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 6600pF @ 30V |
| 功率 - 最大 | 115W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 包装材料 | Tube |
| 动态目录 | N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16345?mpart=IPP057N06N3%20G&vendor=448&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| P（ TOT ） | 115W |
| 匹配代码 | IPP057N06N3 G |
| 安装 | THT |
| R（ THJC ） | 1.3K/W |
| LogicLevel | NO |
| 包装 | TO220-3 |
| 单位包 | 500 |
| 标准的提前期 | 13 weeks |
| 最小起订量 | 500 |
| Q（克） | 61nC |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 汽车 | NO |
| 我（D ） | 80A |
| V（ DS ） | 60V |
| 的RDS（on ） at10V | 0.0057Ohm |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 80A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 58µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 标准包装 | 500 |
| 供应商设备封装 | TO-220-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5.7 mOhm @ 80A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 115W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 6600pF @ 30V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 82nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 80 A |
| 零件号别名 | IPP057N06N3GXKSA1 SP000680808 |
| 下降时间 | 9 ns |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | MOSFET |
| 商品名 | OptiMOS |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 正向跨导 - 闵 | 94 S, 47 S |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 系列 | IPP057N06 |
| RDS（ON） | 5.4 mOhms |
| 功率耗散 | 115 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 68 ns |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 栅极电荷Qg | 61 nC |
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