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所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 80 V |
| 最大连续漏极电流 | 80 A |
| RDS -于 | 5.7@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 18 ns |
| 典型上升时间 | 66 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 典型下降时间 | 10 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 高度 | 15.95mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 10.36mm |
| 典型输入电容值@Vds | 3570 pF @ 40 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 5.4 mΩ |
| 通道类型 | N |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 150 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 4.57mm |
| 尺寸 | 10.36 x 4.57 x 15.95mm |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大漏源电压 | 80 V |
| 典型接通延迟时间 | 18 ns |
| 典型关断延迟时间 | 38 ns |
| 封装类型 | TO-220 |
| 最大连续漏极电流 | 80 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 52 nC @ 10 V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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